科锐公司 (Cree, Inc) (Nasdaq: CREE)宣布推出第二代碳化硅 (SiC) 功率MOSFET，是能够使系统实现高效率及更小尺寸、以及高成本效益的硅解决方案。这新型1200V耐压功率的MOSFET提供业界领先的功率密度和切换效率，每安培成本只有科锐前一代MOSFET产品的一半。从性价比上，新型的功率MOSFET是尺寸更小及重量更轻的碳化硅系统，通过提高效率及降低安装成本，协助OEM客户降低系统成本，并为终端用户节省额外花费。
德国弗莱堡 (Freiburg) 行内著名的Fraunhofer研究院 (Fraunhofer-Institute) 专家Bruno Burger博士表示：“我们已经在先进的太阳能电路中采用科锐第二代碳化硅功率MOSFET进行评估。它们拥有最好的效率，并能让系统在较高切换频率时运作，从而实现尺寸更小的被动元件，尤其是更小的电感器。这样大大提高了太阳能逆变器的成本/效能折衷，有助开发更小、更轻及更高效的系统。”
在一些高功率应用上，这些新型SiC MOSFET的优越性能可削减50%~70%所需额定电流。经过妥当的最佳化之后，客户现在能以与以往的硅解决方案相同或更低的系统成本，获得碳化硅性能上的优势。对于太阳能逆变器和不断电系统(UPS)，效率会随着尺寸和重量的减少而提升。在马达驱动应用方面，可协助其功率密度增加一倍以上，同时提高工作效率，并较其它具有相同额定的硅解决方案提供多两倍的最大扭矩。新产品提供的范围已经扩展到包含一个更大的25毫欧姆晶粒，锁定30kW以上功率水准的高功率模组市场;而80毫欧姆元件则为第一代MOSFET提供更低成本、更高性能的升级方案。
科锐功率及射频事业部副总裁及总经理Cengiz Balkas表示：“有了这个新MOSFET平台，我们在多个领域上都赢得客户的导入设计。由于第二代SiC MOSFET受到迅速接纳，我们不但提前为几家客户量产出货，而且我们也正在依客户要求加速量产。”
科锐现提供额定电阻为25毫欧姆及80毫欧姆的晶粒，前者作为50安培基本组件用于高功率模组;而80毫欧姆导功率MOSFET则采用TO-247封装，以优越性能及较低成本，取代科锐第一代产品CMF20120D。封装元件可通过代理商DigiKey、Mouser和Farnell公司即可购得。
